H20-MC高真空双靶位磁控离子溅射仪

H20-MC高真空双靶位离子溅射仪是一款高性能的薄膜制备设备，专为科研实验和工业级精密镀膜需求设计。该设备基于磁控溅射技术，通过高真空环境下的等离子体轰击靶材，实现原子级材料的精准沉积，广泛应用于半导体器件、光学薄膜、功能涂层、纳米材料、新能源器件等领域。其双靶位设计支持多种靶材的灵活组合，可满足单层、多层、复合薄膜及异质结构的制备需求，是材料科学、微电子、光电等领域研究的理想工具。
配备独立两套控制的双靶位系统,可交替或同步溅射两种不同材料。
采用分子泵+隔膜泵无油高真空分子泵组，极限真空度达1.0×10-4Pa以上，有效减少气体杂质干扰，确保薄膜高纯度、低缺陷。
可选配膜厚实时监控系统，实现纳米级厚度精度控制。
节能型靶冷却系统与低功耗真空泵组，降低运行成本。
靶材兼容性强，适配金属、合金等多种靶材（尺寸可选），满足多样化科研需求。
智能真空控制模块，实时监控并自动调节气体流量（如Ar、O₂、N₂），支持反应溅射工艺。
多重安全防护：过压/过流/过热自动保护、真空联锁、紧急泄压阀，确保设备与操作人员安全。